SI8808DB-T2-E1
MOSFET N-CH 30V MICROFOOT
Numer części
SI8808DB-T2-E1
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
4-UFBGA
Pakiet urządzeń dostawcy
4-Microfoot
Rozpraszanie mocy (maks.)
500mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
95 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
10nC @ 8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
330pF @ 15V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
1.5V, 4.5V
Vgs (maks.)
±8V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 53671 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SI8808DB-T2-E1
SI8808DB-T2-E1 Części elektroniczne
SI8808DB-T2-E1 Obroty
SI8808DB-T2-E1 Dostawca
SI8808DB-T2-E1 Dystrybutor
SI8808DB-T2-E1 Tabela danych
SI8808DB-T2-E1 Zdjęcia
SI8808DB-T2-E1 Cena
SI8808DB-T2-E1 Oferta
SI8808DB-T2-E1 Najniższa cena
SI8808DB-T2-E1 Szukaj
SI8808DB-T2-E1 Nabywczy
SI8808DB-T2-E1 Chip