SI8451DB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 10.8A MICROFOOT
Numer części
SI8451DB-T2-E1
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Digi-Reel®
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
6-MICRO FOOT™
Pakiet urządzeń dostawcy
6-Micro Foot™ (1.5x1)
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.77W (Ta), 13W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
24nC @ 8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
750pF @ 10V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
1.5V, 4.5V
Vgs (maks.)
±8V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 45427 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SI8451DB-T2-E1
SI8451DB-T2-E1 Części elektroniczne
SI8451DB-T2-E1 Obroty
SI8451DB-T2-E1 Dostawca
SI8451DB-T2-E1 Dystrybutor
SI8451DB-T2-E1 Tabela danych
SI8451DB-T2-E1 Zdjęcia
SI8451DB-T2-E1 Cena
SI8451DB-T2-E1 Oferta
SI8451DB-T2-E1 Najniższa cena
SI8451DB-T2-E1 Szukaj
SI8451DB-T2-E1 Nabywczy
SI8451DB-T2-E1 Chip