SI7858BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
Numer części
SI7858BDP-T1-GE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Digi-Reel®
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
PowerPAK® SO-8
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SO-8
Rozpraszanie mocy (maks.)
5W (Ta), 48W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
12V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
84nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
5760pF @ 6V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
1.8V, 4.5V
Vgs (maks.)
±8V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do chen_hx1688@hotmail.com, odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 52548 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SI7858BDP-T1-GE3
SI7858BDP-T1-GE3 Części elektroniczne
SI7858BDP-T1-GE3 Obroty
SI7858BDP-T1-GE3 Dostawca
SI7858BDP-T1-GE3 Dystrybutor
SI7858BDP-T1-GE3 Tabela danych
SI7858BDP-T1-GE3 Zdjęcia
SI7858BDP-T1-GE3 Cena
SI7858BDP-T1-GE3 Oferta
SI7858BDP-T1-GE3 Najniższa cena
SI7858BDP-T1-GE3 Szukaj
SI7858BDP-T1-GE3 Nabywczy
SI7858BDP-T1-GE3 Chip