Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
SI7858ADP-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
Numer części
SI7858ADP-T1-E3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
PowerPAK® SO-8
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SO-8
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.9W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
12V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.6 mOhm @ 29A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
80nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
5700pF @ 6V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
2.5V, 4.5V
Vgs (maks.)
±8V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 52423 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SI7858ADP-T1-E3
SI7858ADP-T1-E3 Części elektroniczne
SI7858ADP-T1-E3 Obroty
SI7858ADP-T1-E3 Dostawca
SI7858ADP-T1-E3 Dystrybutor
SI7858ADP-T1-E3 Tabela danych
SI7858ADP-T1-E3 Zdjęcia
SI7858ADP-T1-E3 Cena
SI7858ADP-T1-E3 Oferta
SI7858ADP-T1-E3 Najniższa cena
SI7858ADP-T1-E3 Szukaj
SI7858ADP-T1-E3 Nabywczy
SI7858ADP-T1-E3 Chip