SI7115DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8
Numer części
SI7115DN-T1-GE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-50°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
PowerPAK® 1212-8
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® 1212-8
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
150V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
8.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
295 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
42nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1190pF @ 50V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
6V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 20710 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SI7115DN-T1-GE3
SI7115DN-T1-GE3 Części elektroniczne
SI7115DN-T1-GE3 Obroty
SI7115DN-T1-GE3 Dostawca
SI7115DN-T1-GE3 Dystrybutor
SI7115DN-T1-GE3 Tabela danych
SI7115DN-T1-GE3 Zdjęcia
SI7115DN-T1-GE3 Cena
SI7115DN-T1-GE3 Oferta
SI7115DN-T1-GE3 Najniższa cena
SI7115DN-T1-GE3 Szukaj
SI7115DN-T1-GE3 Nabywczy
SI7115DN-T1-GE3 Chip