SI6562DQ-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP
Numer części
SI6562DQ-T1-GE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Digi-Reel®
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Moc - maks
1W
Pakiet urządzeń dostawcy
8-TSSOP
Typ FET
N and P-Channel
Funkcja FET
Logic Level Gate
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
600mV @ 250µA (Min)
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
25nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
-
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 19288 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SI6562DQ-T1-GE3
SI6562DQ-T1-GE3 Części elektroniczne
SI6562DQ-T1-GE3 Obroty
SI6562DQ-T1-GE3 Dostawca
SI6562DQ-T1-GE3 Dystrybutor
SI6562DQ-T1-GE3 Tabela danych
SI6562DQ-T1-GE3 Zdjęcia
SI6562DQ-T1-GE3 Cena
SI6562DQ-T1-GE3 Oferta
SI6562DQ-T1-GE3 Najniższa cena
SI6562DQ-T1-GE3 Szukaj
SI6562DQ-T1-GE3 Nabywczy
SI6562DQ-T1-GE3 Chip