SI5947DU-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
Numer części
SI5947DU-T1-GE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Cut Tape (CT)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
PowerPAK® ChipFET™ Dual
Moc - maks
10.4W
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® ChipFet Dual
Typ FET
2 P-Channel (Dual)
Funkcja FET
Logic Level Gate
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
58 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
17nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
480pF @ 10V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 7942 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SI5947DU-T1-GE3
SI5947DU-T1-GE3 Części elektroniczne
SI5947DU-T1-GE3 Obroty
SI5947DU-T1-GE3 Dostawca
SI5947DU-T1-GE3 Dystrybutor
SI5947DU-T1-GE3 Tabela danych
SI5947DU-T1-GE3 Zdjęcia
SI5947DU-T1-GE3 Cena
SI5947DU-T1-GE3 Oferta
SI5947DU-T1-GE3 Najniższa cena
SI5947DU-T1-GE3 Szukaj
SI5947DU-T1-GE3 Nabywczy
SI5947DU-T1-GE3 Chip