SI5922DU-T1-GE3
MOSFET 2 N-CH 30V 6A POWERPAK
Numer części
SI5922DU-T1-GE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Digi-Reel®
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
PowerPAK® ChipFET™ Dual
Moc - maks
10.4W
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® ChipFet Dual
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkcja FET
Standard
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
19.2 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
7.1nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
765pF @ 15V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 52228 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SI5922DU-T1-GE3
SI5922DU-T1-GE3 Części elektroniczne
SI5922DU-T1-GE3 Obroty
SI5922DU-T1-GE3 Dostawca
SI5922DU-T1-GE3 Dystrybutor
SI5922DU-T1-GE3 Tabela danych
SI5922DU-T1-GE3 Zdjęcia
SI5922DU-T1-GE3 Cena
SI5922DU-T1-GE3 Oferta
SI5922DU-T1-GE3 Najniższa cena
SI5922DU-T1-GE3 Szukaj
SI5922DU-T1-GE3 Nabywczy
SI5922DU-T1-GE3 Chip