SI5513CDC-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Numer części
SI5513CDC-T1-E3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-SMD, Flat Lead
Moc - maks
3.1W
Pakiet urządzeń dostawcy
-
Typ FET
N and P-Channel
Funkcja FET
Logic Level Gate
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
4A, 3.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
55 mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
4.2nC @ 5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
285pF @ 10V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 23148 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SI5513CDC-T1-E3
SI5513CDC-T1-E3 Części elektroniczne
SI5513CDC-T1-E3 Obroty
SI5513CDC-T1-E3 Dostawca
SI5513CDC-T1-E3 Dystrybutor
SI5513CDC-T1-E3 Tabela danych
SI5513CDC-T1-E3 Zdjęcia
SI5513CDC-T1-E3 Cena
SI5513CDC-T1-E3 Oferta
SI5513CDC-T1-E3 Najniższa cena
SI5513CDC-T1-E3 Szukaj
SI5513CDC-T1-E3 Nabywczy
SI5513CDC-T1-E3 Chip