Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
SI5511DC-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
Numer części
SI5511DC-T1-GE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-SMD, Flat Lead
Moc - maks
3.1W, 2.6W
Pakiet urządzeń dostawcy
1206-8 ChipFET™
Typ FET
N and P-Channel
Funkcja FET
Logic Level Gate
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
4A, 3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
55 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
7.1nC @ 5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
435pF @ 15V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 32131 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SI5511DC-T1-GE3
SI5511DC-T1-GE3 Części elektroniczne
SI5511DC-T1-GE3 Obroty
SI5511DC-T1-GE3 Dostawca
SI5511DC-T1-GE3 Dystrybutor
SI5511DC-T1-GE3 Tabela danych
SI5511DC-T1-GE3 Zdjęcia
SI5511DC-T1-GE3 Cena
SI5511DC-T1-GE3 Oferta
SI5511DC-T1-GE3 Najniższa cena
SI5511DC-T1-GE3 Szukaj
SI5511DC-T1-GE3 Nabywczy
SI5511DC-T1-GE3 Chip