SI5476DU-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 12A PPAK CHIPFET
Numer części
SI5476DU-T1-GE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-PowerVDFN
Pakiet urządzeń dostawcy
8-PowerPak® ChipFet (3x1.9)
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.1W (Ta), 31W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
34 mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
32nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1100pF @ 30V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 40944 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SI5476DU-T1-GE3
SI5476DU-T1-GE3 Części elektroniczne
SI5476DU-T1-GE3 Obroty
SI5476DU-T1-GE3 Dostawca
SI5476DU-T1-GE3 Dystrybutor
SI5476DU-T1-GE3 Tabela danych
SI5476DU-T1-GE3 Zdjęcia
SI5476DU-T1-GE3 Cena
SI5476DU-T1-GE3 Oferta
SI5476DU-T1-GE3 Najniższa cena
SI5476DU-T1-GE3 Szukaj
SI5476DU-T1-GE3 Nabywczy
SI5476DU-T1-GE3 Chip