Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
SI5471DC-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8
Numer części
SI5471DC-T1-GE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-SMD, Flat Lead
Pakiet urządzeń dostawcy
1206-8 ChipFET™
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 9.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
96nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2945pF @ 10V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
1.8V, 4.5V
Vgs (maks.)
±12V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 26490 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SI5471DC-T1-GE3
SI5471DC-T1-GE3 Części elektroniczne
SI5471DC-T1-GE3 Obroty
SI5471DC-T1-GE3 Dostawca
SI5471DC-T1-GE3 Dystrybutor
SI5471DC-T1-GE3 Tabela danych
SI5471DC-T1-GE3 Zdjęcia
SI5471DC-T1-GE3 Cena
SI5471DC-T1-GE3 Oferta
SI5471DC-T1-GE3 Najniższa cena
SI5471DC-T1-GE3 Szukaj
SI5471DC-T1-GE3 Nabywczy
SI5471DC-T1-GE3 Chip