SI4946CDY-T1-GE3
MOSFET N-CHAN DUAL 60V SO-8
Numer części
SI4946CDY-T1-GE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Moc - maks
2W (Ta), 2.8W (Tc)
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SO
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkcja FET
Standard
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
5.2A (Ta), 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40.9 mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
10nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
350pF @ 30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 34194 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SI4946CDY-T1-GE3
SI4946CDY-T1-GE3 Części elektroniczne
SI4946CDY-T1-GE3 Obroty
SI4946CDY-T1-GE3 Dostawca
SI4946CDY-T1-GE3 Dystrybutor
SI4946CDY-T1-GE3 Tabela danych
SI4946CDY-T1-GE3 Zdjęcia
SI4946CDY-T1-GE3 Cena
SI4946CDY-T1-GE3 Oferta
SI4946CDY-T1-GE3 Najniższa cena
SI4946CDY-T1-GE3 Szukaj
SI4946CDY-T1-GE3 Nabywczy
SI4946CDY-T1-GE3 Chip