SI3981DV-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6-TSOP
Numer części
SI3981DV-T1-E3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Cut Tape (CT)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Moc - maks
800mW
Pakiet urządzeń dostawcy
6-TSOP
Typ FET
2 P-Channel (Dual)
Funkcja FET
Logic Level Gate
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
1.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
185 mOhm @ 1.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
5nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
-
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 46187 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SI3981DV-T1-E3
SI3981DV-T1-E3 Części elektroniczne
SI3981DV-T1-E3 Obroty
SI3981DV-T1-E3 Dostawca
SI3981DV-T1-E3 Dystrybutor
SI3981DV-T1-E3 Tabela danych
SI3981DV-T1-E3 Zdjęcia
SI3981DV-T1-E3 Cena
SI3981DV-T1-E3 Oferta
SI3981DV-T1-E3 Najniższa cena
SI3981DV-T1-E3 Szukaj
SI3981DV-T1-E3 Nabywczy
SI3981DV-T1-E3 Chip