Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
SI3585CDV-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
Numer części
SI3585CDV-T1-GE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Moc - maks
1.4W, 1.3W
Pakiet urządzeń dostawcy
6-TSOP
Typ FET
N and P-Channel
Funkcja FET
Logic Level Gate
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
3.9A, 2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
58 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
4.8nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
150pF @ 10V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 46145 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SI3585CDV-T1-GE3
SI3585CDV-T1-GE3 Części elektroniczne
SI3585CDV-T1-GE3 Obroty
SI3585CDV-T1-GE3 Dostawca
SI3585CDV-T1-GE3 Dystrybutor
SI3585CDV-T1-GE3 Tabela danych
SI3585CDV-T1-GE3 Zdjęcia
SI3585CDV-T1-GE3 Cena
SI3585CDV-T1-GE3 Oferta
SI3585CDV-T1-GE3 Najniższa cena
SI3585CDV-T1-GE3 Szukaj
SI3585CDV-T1-GE3 Nabywczy
SI3585CDV-T1-GE3 Chip