SI3495DV-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP
Numer części
SI3495DV-T1-E3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Digi-Reel®
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pakiet urządzeń dostawcy
6-TSOP
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.1W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
24 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
750mV @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
38nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
-
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
1.5V, 4.5V
Vgs (maks.)
±5V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 7904 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SI3495DV-T1-E3
SI3495DV-T1-E3 Części elektroniczne
SI3495DV-T1-E3 Obroty
SI3495DV-T1-E3 Dostawca
SI3495DV-T1-E3 Dystrybutor
SI3495DV-T1-E3 Tabela danych
SI3495DV-T1-E3 Zdjęcia
SI3495DV-T1-E3 Cena
SI3495DV-T1-E3 Oferta
SI3495DV-T1-E3 Najniższa cena
SI3495DV-T1-E3 Szukaj
SI3495DV-T1-E3 Nabywczy
SI3495DV-T1-E3 Chip