Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
SI3443DDV-T1-GE3
MOSFET P-CHAN 20V TSOP6S
Numer części
SI3443DDV-T1-GE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pakiet urządzeń dostawcy
6-TSOP
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
4A (Ta), 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
47 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
30nC @ 8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
970pF @ 10V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
2.5V, 4.5V
Vgs (maks.)
±12V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do chen_hx1688@hotmail.com, odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 40796 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SI3443DDV-T1-GE3
SI3443DDV-T1-GE3 Części elektroniczne
SI3443DDV-T1-GE3 Obroty
SI3443DDV-T1-GE3 Dostawca
SI3443DDV-T1-GE3 Dystrybutor
SI3443DDV-T1-GE3 Tabela danych
SI3443DDV-T1-GE3 Zdjęcia
SI3443DDV-T1-GE3 Cena
SI3443DDV-T1-GE3 Oferta
SI3443DDV-T1-GE3 Najniższa cena
SI3443DDV-T1-GE3 Szukaj
SI3443DDV-T1-GE3 Nabywczy
SI3443DDV-T1-GE3 Chip