Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
SI3443CDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
Numer części
SI3443CDV-T1-GE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pakiet urządzeń dostawcy
6-TSOP
Rozpraszanie mocy (maks.)
2W (Ta), 3.2W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
5.97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
12.4nC @ 5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
610pF @ 10V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
2.5V, 4.5V
Vgs (maks.)
±12V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 35006 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SI3443CDV-T1-GE3
SI3443CDV-T1-GE3 Części elektroniczne
SI3443CDV-T1-GE3 Obroty
SI3443CDV-T1-GE3 Dostawca
SI3443CDV-T1-GE3 Dystrybutor
SI3443CDV-T1-GE3 Tabela danych
SI3443CDV-T1-GE3 Zdjęcia
SI3443CDV-T1-GE3 Cena
SI3443CDV-T1-GE3 Oferta
SI3443CDV-T1-GE3 Najniższa cena
SI3443CDV-T1-GE3 Szukaj
SI3443CDV-T1-GE3 Nabywczy
SI3443CDV-T1-GE3 Chip