Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
SI3434DV-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-TSOP
Numer części
SI3434DV-T1-E3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pakiet urządzeń dostawcy
6-TSOP
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.14W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
34 mOhm @ 6.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
600mV @ 1mA (Min)
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
12nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
-
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
2.5V, 4.5V
Vgs (maks.)
±12V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 53043 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SI3434DV-T1-E3
SI3434DV-T1-E3 Części elektroniczne
SI3434DV-T1-E3 Obroty
SI3434DV-T1-E3 Dostawca
SI3434DV-T1-E3 Dystrybutor
SI3434DV-T1-E3 Tabela danych
SI3434DV-T1-E3 Zdjęcia
SI3434DV-T1-E3 Cena
SI3434DV-T1-E3 Oferta
SI3434DV-T1-E3 Najniższa cena
SI3434DV-T1-E3 Szukaj
SI3434DV-T1-E3 Nabywczy
SI3434DV-T1-E3 Chip