SI1926DL-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6
Numer części
SI1926DL-T1-E3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Digi-Reel®
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Moc - maks
510mW
Pakiet urządzeń dostawcy
SC-70-6 (SOT-363)
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkcja FET
Logic Level Gate
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
370mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 340mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
1.4nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
18.5pF @ 30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 35842 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SI1926DL-T1-E3
SI1926DL-T1-E3 Części elektroniczne
SI1926DL-T1-E3 Obroty
SI1926DL-T1-E3 Dostawca
SI1926DL-T1-E3 Dystrybutor
SI1926DL-T1-E3 Tabela danych
SI1926DL-T1-E3 Zdjęcia
SI1926DL-T1-E3 Cena
SI1926DL-T1-E3 Oferta
SI1926DL-T1-E3 Najniższa cena
SI1926DL-T1-E3 Szukaj
SI1926DL-T1-E3 Nabywczy
SI1926DL-T1-E3 Chip