SI1427EDH-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 2A SOT-363
Numer części
SI1427EDH-T1-GE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Digi-Reel®
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pakiet urządzeń dostawcy
SC-70-6 (SOT-363)
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
64 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
21nC @ 8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
-
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
1.5V, 4.5V
Vgs (maks.)
±8V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 45298 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SI1427EDH-T1-GE3
SI1427EDH-T1-GE3 Części elektroniczne
SI1427EDH-T1-GE3 Obroty
SI1427EDH-T1-GE3 Dostawca
SI1427EDH-T1-GE3 Dystrybutor
SI1427EDH-T1-GE3 Tabela danych
SI1427EDH-T1-GE3 Zdjęcia
SI1427EDH-T1-GE3 Cena
SI1427EDH-T1-GE3 Oferta
SI1427EDH-T1-GE3 Najniższa cena
SI1427EDH-T1-GE3 Szukaj
SI1427EDH-T1-GE3 Nabywczy
SI1427EDH-T1-GE3 Chip