Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
SI1073X-T1-GE3

SI1073X-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6
Numer części
SI1073X-T1-GE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
SOT-563, SOT-666
Pakiet urządzeń dostawcy
SC-89-6
Rozpraszanie mocy (maks.)
236mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
173 mOhm @ 980mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
9.45nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
265pF @ 15V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 39502 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe SI1073X-T1-GE3
SI1073X-T1-GE3 Części elektroniczne
SI1073X-T1-GE3 Obroty
SI1073X-T1-GE3 Dostawca
SI1073X-T1-GE3 Dystrybutor
SI1073X-T1-GE3 Tabela danych
SI1073X-T1-GE3 Zdjęcia
SI1073X-T1-GE3 Cena
SI1073X-T1-GE3 Oferta
SI1073X-T1-GE3 Najniższa cena
SI1073X-T1-GE3 Szukaj
SI1073X-T1-GE3 Nabywczy
SI1073X-T1-GE3 Chip