SI1050X-T1-GE3
MOSFET N-CH 8V 1.34A SC-89-6
Numer części
SI1050X-T1-GE3
Producent/marka
Seria
TrenchFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
SOT-563, SOT-666
Pakiet urządzeń dostawcy
SC-89-6
Rozpraszanie mocy (maks.)
236mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
8V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
1.34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
86 mOhm @ 1.34A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
11.6nC @ 5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
585pF @ 4V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
1.5V, 4.5V
Vgs (maks.)
±5V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 21548 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SI1050X-T1-GE3
SI1050X-T1-GE3 Części elektroniczne
SI1050X-T1-GE3 Obroty
SI1050X-T1-GE3 Dostawca
SI1050X-T1-GE3 Dystrybutor
SI1050X-T1-GE3 Tabela danych
SI1050X-T1-GE3 Zdjęcia
SI1050X-T1-GE3 Cena
SI1050X-T1-GE3 Oferta
SI1050X-T1-GE3 Najniższa cena
SI1050X-T1-GE3 Szukaj
SI1050X-T1-GE3 Nabywczy
SI1050X-T1-GE3 Chip