IRLR110TRPBF
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Numer części
IRLR110TRPBF
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakiet urządzeń dostawcy
D-Pak
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
540 mOhm @ 2.6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
6.1nC @ 5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
250pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4V, 5V
Vgs (maks.)
±10V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 16579 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IRLR110TRPBF
IRLR110TRPBF Części elektroniczne
IRLR110TRPBF Obroty
IRLR110TRPBF Dostawca
IRLR110TRPBF Dystrybutor
IRLR110TRPBF Tabela danych
IRLR110TRPBF Zdjęcia
IRLR110TRPBF Cena
IRLR110TRPBF Oferta
IRLR110TRPBF Najniższa cena
IRLR110TRPBF Szukaj
IRLR110TRPBF Nabywczy
IRLR110TRPBF Chip