Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IRFSL11N50APBF
MOSFET N-CH 500V 11A TO-262
Numer części
IRFSL11N50APBF
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-262-3
Rozpraszanie mocy (maks.)
190W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
550 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
51nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1426pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 30347 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IRFSL11N50APBF
IRFSL11N50APBF Części elektroniczne
IRFSL11N50APBF Obroty
IRFSL11N50APBF Dostawca
IRFSL11N50APBF Dystrybutor
IRFSL11N50APBF Tabela danych
IRFSL11N50APBF Zdjęcia
IRFSL11N50APBF Cena
IRFSL11N50APBF Oferta
IRFSL11N50APBF Najniższa cena
IRFSL11N50APBF Szukaj
IRFSL11N50APBF Nabywczy
IRFSL11N50APBF Chip