IRFL9110TRPBF
MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Numer części
IRFL9110TRPBF
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-261-4, TO-261AA
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-223
Rozpraszanie mocy (maks.)
2W (Ta), 3.1W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2 Ohm @ 660mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
8.7nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
200pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 49610 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IRFL9110TRPBF
IRFL9110TRPBF Części elektroniczne
IRFL9110TRPBF Obroty
IRFL9110TRPBF Dostawca
IRFL9110TRPBF Dystrybutor
IRFL9110TRPBF Tabela danych
IRFL9110TRPBF Zdjęcia
IRFL9110TRPBF Cena
IRFL9110TRPBF Oferta
IRFL9110TRPBF Najniższa cena
IRFL9110TRPBF Szukaj
IRFL9110TRPBF Nabywczy
IRFL9110TRPBF Chip