Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IRFIB6N60APBF
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220FP
Numer części
IRFIB6N60APBF
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220-3
Rozpraszanie mocy (maks.)
60W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
750 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
49nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1400pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 22348 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IRFIB6N60APBF
IRFIB6N60APBF Części elektroniczne
IRFIB6N60APBF Obroty
IRFIB6N60APBF Dostawca
IRFIB6N60APBF Dystrybutor
IRFIB6N60APBF Tabela danych
IRFIB6N60APBF Zdjęcia
IRFIB6N60APBF Cena
IRFIB6N60APBF Oferta
IRFIB6N60APBF Najniższa cena
IRFIB6N60APBF Szukaj
IRFIB6N60APBF Nabywczy
IRFIB6N60APBF Chip