Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IRF840STRR
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Numer części
IRF840STRR
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
D2PAK
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.1W (Ta), 125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
850 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
63nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1300pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 41860 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IRF840STRR
IRF840STRR Części elektroniczne
IRF840STRR Obroty
IRF840STRR Dostawca
IRF840STRR Dystrybutor
IRF840STRR Tabela danych
IRF840STRR Zdjęcia
IRF840STRR Cena
IRF840STRR Oferta
IRF840STRR Najniższa cena
IRF840STRR Szukaj
IRF840STRR Nabywczy
IRF840STRR Chip