IRF840STRLPBF
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Numer części
IRF840STRLPBF
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
D2PAK
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.1W (Ta), 125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
850 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
63nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1300pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 25100 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IRF840STRLPBF
IRF840STRLPBF Części elektroniczne
IRF840STRLPBF Obroty
IRF840STRLPBF Dostawca
IRF840STRLPBF Dystrybutor
IRF840STRLPBF Tabela danych
IRF840STRLPBF Zdjęcia
IRF840STRLPBF Cena
IRF840STRLPBF Oferta
IRF840STRLPBF Najniższa cena
IRF840STRLPBF Szukaj
IRF840STRLPBF Nabywczy
IRF840STRLPBF Chip