Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IRF830STRL

IRF830STRL

MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
Numer części
IRF830STRL
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
D2PAK
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.1W (Ta), 74W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
38nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
610pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 9226 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe IRF830STRL
IRF830STRL Części elektroniczne
IRF830STRL Obroty
IRF830STRL Dostawca
IRF830STRL Dystrybutor
IRF830STRL Tabela danych
IRF830STRL Zdjęcia
IRF830STRL Cena
IRF830STRL Oferta
IRF830STRL Najniższa cena
IRF830STRL Szukaj
IRF830STRL Nabywczy
IRF830STRL Chip