Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
2N7002E-T1-GE3

2N7002E-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23
Numer części
2N7002E-T1-GE3
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pakiet urządzeń dostawcy
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
350mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
0.6nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
21pF @ 5V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 9038 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe 2N7002E-T1-GE3
2N7002E-T1-GE3 Części elektroniczne
2N7002E-T1-GE3 Obroty
2N7002E-T1-GE3 Dostawca
2N7002E-T1-GE3 Dystrybutor
2N7002E-T1-GE3 Tabela danych
2N7002E-T1-GE3 Zdjęcia
2N7002E-T1-GE3 Cena
2N7002E-T1-GE3 Oferta
2N7002E-T1-GE3 Najniższa cena
2N7002E-T1-GE3 Szukaj
2N7002E-T1-GE3 Nabywczy
2N7002E-T1-GE3 Chip