Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
TPC8115(TE12L,Q,M)

TPC8115(TE12L,Q,M)

MOSFET P-CH 20V 10A SOP8 2-6J1B
Numer części
TPC8115(TE12L,Q,M)
Seria
U-MOSIV
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SOP (5.5x6.0)
Rozpraszanie mocy (maks.)
1W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 200µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
115nC @ 5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
9130pF @ 10V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
1.8V, 4.5V
Vgs (maks.)
±8V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 29197 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe TPC8115(TE12L,Q,M)
TPC8115(TE12L,Q,M) Części elektroniczne
TPC8115(TE12L,Q,M) Obroty
TPC8115(TE12L,Q,M) Dostawca
TPC8115(TE12L,Q,M) Dystrybutor
TPC8115(TE12L,Q,M) Tabela danych
TPC8115(TE12L,Q,M) Zdjęcia
TPC8115(TE12L,Q,M) Cena
TPC8115(TE12L,Q,M) Oferta
TPC8115(TE12L,Q,M) Najniższa cena
TPC8115(TE12L,Q,M) Szukaj
TPC8115(TE12L,Q,M) Nabywczy
TPC8115(TE12L,Q,M) Chip