TK31V60X,LQ
MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN
Numer części
TK31V60X,LQ
Producent/marka
Seria
DTMOSIV-H
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
4-VSFN Exposed Pad
Pakiet urządzeń dostawcy
4-DFN-EP (8x8)
Rozpraszanie mocy (maks.)
240W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
Super Junction
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
98 mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1.5mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
65nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3000pF @ 300V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 9799 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe TK31V60X,LQ
TK31V60X,LQ Części elektroniczne
TK31V60X,LQ Obroty
TK31V60X,LQ Dostawca
TK31V60X,LQ Dystrybutor
TK31V60X,LQ Tabela danych
TK31V60X,LQ Zdjęcia
TK31V60X,LQ Cena
TK31V60X,LQ Oferta
TK31V60X,LQ Najniższa cena
TK31V60X,LQ Szukaj
TK31V60X,LQ Nabywczy
TK31V60X,LQ Chip