CSD87334Q3DT
MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
Numer części
CSD87334Q3DT
Producent/marka
Seria
NexFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-PowerTDFN
Moc - maks
6W
Pakiet urządzeń dostawcy
8-VSON (3.3x3.3)
Typ FET
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Funkcja FET
Standard
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6 mOhm @ 12A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
8.3nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1260pF @ 15V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 10732 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe CSD87334Q3DT
CSD87334Q3DT Części elektroniczne
CSD87334Q3DT Obroty
CSD87334Q3DT Dostawca
CSD87334Q3DT Dystrybutor
CSD87334Q3DT Tabela danych
CSD87334Q3DT Zdjęcia
CSD87334Q3DT Cena
CSD87334Q3DT Oferta
CSD87334Q3DT Najniższa cena
CSD87334Q3DT Szukaj
CSD87334Q3DT Nabywczy
CSD87334Q3DT Chip