Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
CSD19531Q5AT
MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
Numer części
CSD19531Q5AT
Producent/marka
Seria
NexFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-PowerTDFN
Pakiet urządzeń dostawcy
8-VSONP (5x6)
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.3W (Ta), 125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.4 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.3V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
48nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3870pF @ 50V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
6V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 39468 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe CSD19531Q5AT
CSD19531Q5AT Części elektroniczne
CSD19531Q5AT Obroty
CSD19531Q5AT Dostawca
CSD19531Q5AT Dystrybutor
CSD19531Q5AT Tabela danych
CSD19531Q5AT Zdjęcia
CSD19531Q5AT Cena
CSD19531Q5AT Oferta
CSD19531Q5AT Najniższa cena
CSD19531Q5AT Szukaj
CSD19531Q5AT Nabywczy
CSD19531Q5AT Chip