CSD13306W
MOSFET N-CH 12V 3.5A
Numer części
CSD13306W
Producent/marka
Seria
NexFET™
Stan części
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
6-UFBGA, DSBGA
Pakiet urządzeń dostawcy
6-DSBGA (1x1.5)
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.9W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Napięcie dren-źródło (Vdss)
12V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.2 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.3V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
11.2nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1370pF @ 6V
Vgs (maks.)
±10V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
2.5V, 4.5V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 52808 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe CSD13306W
CSD13306W Części elektroniczne
CSD13306W Obroty
CSD13306W Dostawca
CSD13306W Dystrybutor
CSD13306W Tabela danych
CSD13306W Zdjęcia
CSD13306W Cena
CSD13306W Oferta
CSD13306W Najniższa cena
CSD13306W Szukaj
CSD13306W Nabywczy
CSD13306W Chip