TSM1N45CW RPG
MOSFET N-CH 450V 500MA SOT223
Numer części
TSM1N45CW RPG
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-261-4, TO-261AA
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-223
Rozpraszanie mocy (maks.)
2W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
450V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.25 Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.25V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
6.5nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
235pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 15534 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe TSM1N45CW RPG
TSM1N45CW RPG Części elektroniczne
TSM1N45CW RPG Obroty
TSM1N45CW RPG Dostawca
TSM1N45CW RPG Dystrybutor
TSM1N45CW RPG Tabela danych
TSM1N45CW RPG Zdjęcia
TSM1N45CW RPG Cena
TSM1N45CW RPG Oferta
TSM1N45CW RPG Najniższa cena
TSM1N45CW RPG Szukaj
TSM1N45CW RPG Nabywczy
TSM1N45CW RPG Chip