Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
STW33N60DM2
MOSFET N-CH 600V 24A
Numer części
STW33N60DM2
Producent/marka
Seria
MDmesh™ DM2
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-247-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247
Rozpraszanie mocy (maks.)
190W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
43nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1870pF @ 100V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±25V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do chen_hx1688@hotmail.com, odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 46292 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe STW33N60DM2
STW33N60DM2 Części elektroniczne
STW33N60DM2 Obroty
STW33N60DM2 Dostawca
STW33N60DM2 Dystrybutor
STW33N60DM2 Tabela danych
STW33N60DM2 Zdjęcia
STW33N60DM2 Cena
STW33N60DM2 Oferta
STW33N60DM2 Najniższa cena
STW33N60DM2 Szukaj
STW33N60DM2 Nabywczy
STW33N60DM2 Chip