Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
STFI13N65M2
MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP
Numer części
STFI13N65M2
Producent/marka
Seria
MDmesh™ M2
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Pakiet urządzeń dostawcy
I2PAKFP (TO-281)
Rozpraszanie mocy (maks.)
25W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
430 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
17nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
590pF @ 100V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±25V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 24659 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe STFI13N65M2
STFI13N65M2 Części elektroniczne
STFI13N65M2 Obroty
STFI13N65M2 Dostawca
STFI13N65M2 Dystrybutor
STFI13N65M2 Tabela danych
STFI13N65M2 Zdjęcia
STFI13N65M2 Cena
STFI13N65M2 Oferta
STFI13N65M2 Najniższa cena
STFI13N65M2 Szukaj
STFI13N65M2 Nabywczy
STFI13N65M2 Chip