STD4NK100Z
MOSFET N-CH 1000V 2.2A DPAK
Numer części
STD4NK100Z
Producent/marka
Seria
Automotive, AEC-Q101, SuperMESH™
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakiet urządzeń dostawcy
DPAK
Rozpraszanie mocy (maks.)
90W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1000V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.8 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
18nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
601pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 36111 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe STD4NK100Z
STD4NK100Z Części elektroniczne
STD4NK100Z Obroty
STD4NK100Z Dostawca
STD4NK100Z Dystrybutor
STD4NK100Z Tabela danych
STD4NK100Z Zdjęcia
STD4NK100Z Cena
STD4NK100Z Oferta
STD4NK100Z Najniższa cena
STD4NK100Z Szukaj
STD4NK100Z Nabywczy
STD4NK100Z Chip