Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
STB35N65DM2
NCHANNEL 650 V 0.094 OHM TYP. 28
Numer części
STB35N65DM2
Producent/marka
Seria
MDmesh™ M2
Stan części
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
D2PAK
Rozpraszanie mocy (maks.)
210W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
54nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2400pF @ 100V
Vgs (maks.)
±25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 39592 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe STB35N65DM2
STB35N65DM2 Części elektroniczne
STB35N65DM2 Obroty
STB35N65DM2 Dostawca
STB35N65DM2 Dystrybutor
STB35N65DM2 Tabela danych
STB35N65DM2 Zdjęcia
STB35N65DM2 Cena
STB35N65DM2 Oferta
STB35N65DM2 Najniższa cena
STB35N65DM2 Szukaj
STB35N65DM2 Nabywczy
STB35N65DM2 Chip