STB22NM60N
MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK
Numer części
STB22NM60N
Producent/marka
Seria
MDmesh™ II
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
D2PAK
Rozpraszanie mocy (maks.)
125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
220 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
44nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1300pF @ 50V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 54895 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe STB22NM60N
STB22NM60N Części elektroniczne
STB22NM60N Obroty
STB22NM60N Dostawca
STB22NM60N Dystrybutor
STB22NM60N Tabela danych
STB22NM60N Zdjęcia
STB22NM60N Cena
STB22NM60N Oferta
STB22NM60N Najniższa cena
STB22NM60N Szukaj
STB22NM60N Nabywczy
STB22NM60N Chip