SI8261BBC-C-IS
DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC
Numer części
SI8261BBC-C-IS
Producent/marka
Seria
Automotive, AEC-Q100
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
Capacitive Coupling
temperatura robocza
-40°C ~ 125°C
Zatwierdzenia
CQC, CSA, UR, VDE
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Liczba kanałów
1
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SOIC
Napięcie zasilające
9.4 V ~ 30 V
Prąd - Wyjście Wysokie, Niskie
500mA, 1.2A
Napięcie - izolacja
3750Vrms
Prąd - szczytowa moc wyjściowa
4A
Czas narastania/opadania (typ)
5.5ns, 8.5ns
Odporność na stany przejściowe w trybie wspólnym (min)
35kV/µs
Opóźnienie propagacji tpLH / tpHL (maks.)
60ns, 50ns
Zniekształcenie szerokości impulsu (maks.)
28ns
Napięcie — do przodu (Vf) (typ)
2.8V (Max)
Prąd — przekazywanie prądu stałego (jeśli) (maks.)
30mA
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 51400 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SI8261BBC-C-IS
SI8261BBC-C-IS Części elektroniczne
SI8261BBC-C-IS Obroty
SI8261BBC-C-IS Dostawca
SI8261BBC-C-IS Dystrybutor
SI8261BBC-C-IS Tabela danych
SI8261BBC-C-IS Zdjęcia
SI8261BBC-C-IS Cena
SI8261BBC-C-IS Oferta
SI8261BBC-C-IS Najniższa cena
SI8261BBC-C-IS Szukaj
SI8261BBC-C-IS Nabywczy
SI8261BBC-C-IS Chip