RQ3E160ADTB
MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
Numer części
RQ3E160ADTB
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-PowerVDFN
Pakiet urządzeń dostawcy
8-HSMT (3.2x3)
Rozpraszanie mocy (maks.)
2W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
51nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2550pF @ 15V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 48416 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe RQ3E160ADTB
RQ3E160ADTB Części elektroniczne
RQ3E160ADTB Obroty
RQ3E160ADTB Dostawca
RQ3E160ADTB Dystrybutor
RQ3E160ADTB Tabela danych
RQ3E160ADTB Zdjęcia
RQ3E160ADTB Cena
RQ3E160ADTB Oferta
RQ3E160ADTB Najniższa cena
RQ3E160ADTB Szukaj
RQ3E160ADTB Nabywczy
RQ3E160ADTB Chip