Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
RQ3E120BNTB
MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8
Numer części
RQ3E120BNTB
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-PowerVDFN
Pakiet urządzeń dostawcy
8-HSMT (3.2x3)
Rozpraszanie mocy (maks.)
2W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.3 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
29nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1500pF @ 15V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 13377 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe RQ3E120BNTB
RQ3E120BNTB Części elektroniczne
RQ3E120BNTB Obroty
RQ3E120BNTB Dostawca
RQ3E120BNTB Dystrybutor
RQ3E120BNTB Tabela danych
RQ3E120BNTB Zdjęcia
RQ3E120BNTB Cena
RQ3E120BNTB Oferta
RQ3E120BNTB Najniższa cena
RQ3E120BNTB Szukaj
RQ3E120BNTB Nabywczy
RQ3E120BNTB Chip