HAT2160H-EL-E
MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK
Numer części
HAT2160H-EL-E
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
SC-100, SOT-669
Pakiet urządzeń dostawcy
LFPAK
Rozpraszanie mocy (maks.)
30W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
54nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
7750pF @ 10V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 23494 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe HAT2160H-EL-E
HAT2160H-EL-E Części elektroniczne
HAT2160H-EL-E Obroty
HAT2160H-EL-E Dostawca
HAT2160H-EL-E Dystrybutor
HAT2160H-EL-E Tabela danych
HAT2160H-EL-E Zdjęcia
HAT2160H-EL-E Cena
HAT2160H-EL-E Oferta
HAT2160H-EL-E Najniższa cena
HAT2160H-EL-E Szukaj
HAT2160H-EL-E Nabywczy
HAT2160H-EL-E Chip