Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
NSVMUN5212DW1T1G
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Numer części
NSVMUN5212DW1T1G
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Moc - maks
250mW
Pakiet urządzeń dostawcy
SC-88/SC70-6/SOT-363
Typ tranzystora
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Prąd – kolektor (Ic) (maks.)
100mA
Napięcie — awaria emitera kolektora (maks.)
50V
Vce Nasycenie (maks.) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Prąd – odcięcie kolektora (maks.)
500nA
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 10V
Częstotliwość - Przejście
-
Rezystor - podstawa (R1)
22 kOhms
Rezystor – podstawa emitera (R2)
22 kOhms
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 27149 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe NSVMUN5212DW1T1G
NSVMUN5212DW1T1G Części elektroniczne
NSVMUN5212DW1T1G Obroty
NSVMUN5212DW1T1G Dostawca
NSVMUN5212DW1T1G Dystrybutor
NSVMUN5212DW1T1G Tabela danych
NSVMUN5212DW1T1G Zdjęcia
NSVMUN5212DW1T1G Cena
NSVMUN5212DW1T1G Oferta
NSVMUN5212DW1T1G Najniższa cena
NSVMUN5212DW1T1G Szukaj
NSVMUN5212DW1T1G Nabywczy
NSVMUN5212DW1T1G Chip