Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
MUN5312DW1T2G

MUN5312DW1T2G

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Numer części
MUN5312DW1T2G
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Moc - maks
385mW
Pakiet urządzeń dostawcy
SC-88/SC70-6/SOT-363
Typ tranzystora
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Prąd – kolektor (Ic) (maks.)
100mA
Napięcie — awaria emitera kolektora (maks.)
50V
Vce Nasycenie (maks.) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Prąd – odcięcie kolektora (maks.)
500nA
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 10V
Częstotliwość - Przejście
-
Rezystor - podstawa (R1)
22 kOhms
Rezystor – podstawa emitera (R2)
22 kOhms
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 29793 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe MUN5312DW1T2G
MUN5312DW1T2G Części elektroniczne
MUN5312DW1T2G Obroty
MUN5312DW1T2G Dostawca
MUN5312DW1T2G Dystrybutor
MUN5312DW1T2G Tabela danych
MUN5312DW1T2G Zdjęcia
MUN5312DW1T2G Cena
MUN5312DW1T2G Oferta
MUN5312DW1T2G Najniższa cena
MUN5312DW1T2G Szukaj
MUN5312DW1T2G Nabywczy
MUN5312DW1T2G Chip