Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
FDFME2P823ZT

FDFME2P823ZT

MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
Numer części
FDFME2P823ZT
Producent/marka
Seria
PowerTrench®
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
6-UFDFN Exposed Pad
Pakiet urządzeń dostawcy
6-MicroFET (1.6x1.6)
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.4W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkcja FET
Schottky Diode (Isolated)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
142 mOhm @ 2.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
7.7nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
405pF @ 10V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
1.8V, 4.5V
Vgs (maks.)
±8V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 25048 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe FDFME2P823ZT
FDFME2P823ZT Części elektroniczne
FDFME2P823ZT Obroty
FDFME2P823ZT Dostawca
FDFME2P823ZT Dystrybutor
FDFME2P823ZT Tabela danych
FDFME2P823ZT Zdjęcia
FDFME2P823ZT Cena
FDFME2P823ZT Oferta
FDFME2P823ZT Najniższa cena
FDFME2P823ZT Szukaj
FDFME2P823ZT Nabywczy
FDFME2P823ZT Chip