Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
FDB047N10
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Numer części
FDB047N10
Producent/marka
Seria
PowerTrench®
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
D²PAK
Rozpraszanie mocy (maks.)
375W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.7 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
210nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
15265pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 23105 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe FDB047N10
FDB047N10 Części elektroniczne
FDB047N10 Obroty
FDB047N10 Dostawca
FDB047N10 Dystrybutor
FDB047N10 Tabela danych
FDB047N10 Zdjęcia
FDB047N10 Cena
FDB047N10 Oferta
FDB047N10 Najniższa cena
FDB047N10 Szukaj
FDB047N10 Nabywczy
FDB047N10 Chip